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更新時(shí)間：2026-01-30
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| 參數(shù) | TM-UF |
|---|---|
| 純度 | 99.99%（4N 級(jí)），低雜質(zhì) / 低放射性 |
| 晶體形態(tài) | α- 氧化鋁（剛玉相），晶體結(jié)構(gòu)致密 |
| 一次粒徑 | 0.09 μm（超細(xì)級(jí)別，優(yōu)于同系列 TM-DA/TM-DAR） |
| 中位徑 d50 | 0.14 μm（窄分布，粒徑均勻性好） |
| BET 比表面積 | 17.0 m2/g（高比表面積，利于燒結(jié)與分散） |
| 雜質(zhì)控制 | 鈉 / 鐵等關(guān)鍵雜質(zhì)＜1ppm，適配半導(dǎo)體 / 電子污染需求 |
| 燒結(jié)特性 | 低溫?zé)Y(jié)適配性好，易獲得致密結(jié)構(gòu) |
| 包裝 | 常規(guī)為 1kg / 包，支持定制化包裝 |
超微超細(xì)粒徑：一次粒徑 0.09 μm，d50 0.14 μm，窄分布，適合納米級(jí)材料混合與成型，提升產(chǎn)品致密度與性能均勻性。
4N 級(jí)高純與低污染：嚴(yán)格控制雜質(zhì)與放射性，適配半導(dǎo)體治具、電子陶瓷等對(duì)污染容忍的場(chǎng)景。
高比表面積與分散性：17.0 m2/g 比表面積，粉體分散性好，利于與其他材料復(fù)合，降低燒結(jié)溫度與收縮率波動(dòng)。
晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定：α- 氧化鋁相純度高，化學(xué)穩(wěn)定性與耐磨性優(yōu)異，適合高溫 / 高濕等嚴(yán)苛工況。
| 應(yīng)用場(chǎng)景 | 核心價(jià)值 | 選型參考 |
|---|---|---|
| 電子 / 半導(dǎo)體 | 基板、封裝材料、半導(dǎo)體治具 | 低放射性、高純、尺寸穩(wěn)定 |
| 精密陶瓷 | 電子陶瓷、結(jié)構(gòu)陶瓷、耐磨部件 | 低溫?zé)Y(jié)、致密結(jié)構(gòu)、高硬度 |
| 研磨 / 分散 | 納米級(jí)材料研磨介質(zhì)、漿料添加劑 | 超細(xì)粒徑、高分散、低污染 |
| 催化 / 吸附 | 特種催化劑載體 | 高比表面積、化學(xué)穩(wěn)定性 |
| 型號(hào) | 一次粒徑 | 中位徑 d50 | BET 比表面積 | 核心差異 |
|---|---|---|---|---|
| TM-UF | 0.09 μm | 0.14 μm | 17.0 m2/g | 超精細(xì)粒徑，高比表面積，適合超精密成型 |
| TM-DA | 0.12 μm | 0.17 μm | 12.5 m2/g | 平衡粒徑與分散，適合常規(guī)精密陶瓷 |
| TM-DAR | 0.12 μm | 0.16 μm | 12.5 m2/g | 側(cè)重低放射性，適配半導(dǎo)體場(chǎng)景 |
| TM-5D | 0.20 μm | 0.25 μm | 8.2 m2/g | 粒徑稍大，適合對(duì)燒結(jié)效率要求高的場(chǎng)景 |
分散與成型：超細(xì)粒徑易團(tuán)聚，建議用酒精 / 丙酮 + 分散劑超聲分散，成型壓力適中避免密度不均。
燒結(jié)控制：高比表面積利于低溫?zé)Y(jié)（建議 1400–1500°C），升溫速率 5–10°C/min，保溫 2–4 小時(shí)，提升致密度。
雜質(zhì)管理：4N 級(jí)純度需匹配潔凈車(chē)間與專(zhuān)用工具，避免二次污染。
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